O le Aofaʻiga Tele o le Kasa Faʻapitoa Faʻaeletoronika - Nitrogen Trifluoride NF3

O lo'o fa'atumauina pea e le tatou atunu'u le tulaga maualuga o le manuia i le alamanuia o semiconductor ma le alamanuia o paneli. O le Nitrogen trifluoride, o se kesi eletise fa'apitoa e sili ona taua ma tele lona aofa'i i le gaosiga ma le fa'agasologaina o paneli ma semiconductors, e lautele lona avanoa i le maketi.

O kasa eletise faapitoa e iai le fluorine e masani ona faʻaaogaina e aofia aisulfur hexafluoride (SF6), tungsten hexafluoride (WF6),kaponi tetrafluoride (CF4), trifluoromethane (CHF3), nitrogen trifluoride (NF3), hexafluoroethane (C2F6) ma le octafluoropropane (C3F8). O le nitrogen trifluoride (NF3) e masani ona faʻaaogaina o se puna fluorine mo le hydrogen fluoride-fluoride gas high-energy chemical lasers. O le vaega aoga (pe tusa ma le 25%) o le malosiaga tali atu i le va o le H2-O2 ma le F2 e mafai ona faʻasaʻolotoina e le laser radiation, o lea la o le HF-OF lasers o le lasers sili ona folafolaina i totonu o le lasers chemical.

O le nitrogen trifluoride o se kasa etching plasma sili ona lelei i le alamanuia microelectronics. Mo le etching silicon ma le silicon nitride, o le nitrogen trifluoride e sili atu le saoasaoa o le etching ma le selectivity nai lo le carbon tetrafluoride ma se fa'afefiloi o le carbon tetrafluoride ma le oxygen, ma e leai se fa'aleagaina i luga. Aemaise lava i le etching o mea integrated circuit e itiiti ifo i le 1.5um le mafiafia, o le nitrogen trifluoride e matua lelei lava le saoasaoa o le etching ma le selectivity, e leai se toega e totoe i luga o le mea e etching, ma o se vaila'au fa'amama lelei tele fo'i. Fa'atasi ai ma le atina'eina o le nanotechnology ma le atina'eina tele o le alamanuia eletise, o le a fa'ateleina lona mana'oga i lea aso ma lea aso.

I le avea ai ma se ituaiga o kasa faapitoa e iai le fluorine, o le nitrogen trifluoride (NF3) o le oloa kasa faapitoa eletise aupito tele lea i le maketi. E le gaoioi fa'akemikolo i le vevela o le potu, e sili atu lona malosi nai lo le okesene, e sili atu lona mautu nai lo le fluorine, ma faigofie ona taulimaina i le vevela maualuga.

E faʻaaogaina tele le Nitrogen trifluoride o se kasa etching plasma ma se mea e faʻamamā ai le potu tali, e talafeagai mo vaega gaosi oloa e pei o semiconductor chips, flat panel displays, optical fibers, photovoltaic cells, ma isi.

Pe a faʻatusatusa i isi kasa eletise o loʻo i ai le fluorine, o le nitrogen trifluoride e iai ona lelei o le vave tali atu ma le maualuga o le lelei, aemaise lava i le etching o mea o loʻo i ai le silicon e pei o le silicon nitride, e maualuga lona fua faatatau o le etching ma le selectivity, e leai se toega e totoe i luga o le mea ua eliina, ma o se mea lelei tele foi e faamama ai, ma e le faaleagaina ai le luga ma e mafai ona faamalieina manaoga o le faagasologa o le faagasologa.