O le malo o Korea i Saute o le a tipiina tiute faaulufale mai i le zero i luga o kasa seasea e tolu o loʻo faʻaaogaina i le gaosiga o chip semiconductor -neon, xenonmakripton– amata i le masina fou.E tusa ai ma le mafuaaga o le faaleaogaina o tau, na saunoa le Minisita o Fuafuaga ma Tupe a Korea i Saute, Hong Nam-ki, o le a faatino e le matagaluega le leai o se tau i luga o le tau.neon, xenonmakriptonia Aperila, aemaise lava ona o nei oloa e faʻalagolago tele i oloa mai fafo mai Rusia ma Iukureini.E taua le taʻua o Korea i Saute o loʻo tuʻuina atu nei le 5.5% o le tau i luga o nei kasa seasea e tolu, ma o loʻo sauni nei e faʻaaoga le 0% quota tariff.I se isi faaupuga, e le faia e Korea i Saute se tau i luga o oloa mai fafo o nei kesi.O lenei fuataga e faʻaalia ai o le aʻafiaga o le tuʻuina atu o le kesi e le masani ai ma le le paleni o manaʻoga i luga o pisinisi semiconductor Korea e tele.

O le a lenei mea?

O le gaioiga a Korea i Saute na sau e tali atu i popolega ona o le faʻalavelave i Iukureini ua faigata ai le sapalai o le kesi e le masani ai ma o le maualuga o tau e ono afaina ai le pisinisi semiconductor.E tusa ai ma faʻamatalaga lautele, o le tau o le iunite oneonkesi na faaulufale mai mai Korea i Saute ia Ianuari na siitia i le 106% pe a faatusatusa i le tulaga averesi i le 2021, ma le tau o le iunitekriptonna siitia foi le kesi i le 52.5% i lea lava vaitaimi.Toeitiiti lava o kasa seasea uma a Korea i Saute o loʻo faʻaulufale mai, ma e faʻalagolago tele i oloa mai fafo mai Rusia ma Iukureini, lea e tele sona aʻafiaga i pisinisi semiconductor.

Fa'alagolago le Fa'aulufale mai a Korea i Saute i Kasa Noble

Faaalia e le Matagaluega o Fefaatauaiga, Alamanuia ma Malosiaga a Korea i Saute, o le faalagolago o le atunuu i oloa mai fafo oneon, xenon, makriptonmai Rusia ma Iukureini i le 2021 o le a 28% (23% i Iukureini, 5% i Rusia), 49% (31% i Rusia, Iukureini 18%), 48% (Iukureini 31%, Rusia 17%).Neon o se mea autu mo lasers excimer ma le vevela polysilicon (LTPS) TFT faagasologa, ma xenon ma krypton o mea autu i le 3D NAND hole etching process.