O le matafaioi a le sulfur hexafluoride i le faʻaogaina o le nitride silicon

Sulfur hexafluoride o se kesi ma mea e sili ona lelei insulating ma e masani ona faʻaaogaina i le maualuga-voltage arc tinei ma transformers, laina eletise eletise eletise, transformers, ma isi. Fa'aeletoroni vasega maualuga-mama sulfur hexafluoride o se etchant faaeletonika lelei, lea e masani ona faʻaaogaina i le matata o tekinolosi microelectronics. I aso nei, Niu Ruide fa'atonu kasa fa'apitoa Yueyue o le a fa'alauiloaina le fa'aogaina o le sulfur hexafluoride i le fa'aogaina o le nitride silicon ma le a'afiaga o ta'iala eseese.

Matou te talanoaina le SF6 plasma etching SiNx process, e aofia ai le suia o le malosiaga plasma, le fua o le kesi o le SF6 / He ma le faʻaopoopoina o le cationic gas O2, faʻatalanoaina lona aafiaga i le fua o le etching o le SiNx elemene puipuiga layer o TFT, ma le faʻaaogaina o le plasma radiation O le spectrometer e suʻesuʻe le suiga o le faʻaogaina o ituaiga taʻitasi i le SF6 / He, SF6 / He / O2 suʻesuʻega o le plasma ma le va o le SF6 / He / O2 suʻesuʻe le va o le SF6 / He / O2 plasma ma le suʻesuʻega o le SF6. SiNx fua fa'atatau ma le fa'aogaina o ituaiga plasma.

Ua maua suʻesuʻega pe a faʻateleina le malosi o le plasma, e faʻateleina le fua o le etching; afai e faʻateleina le tafe o le SF6 i le plasma, o le F atom concentration e faʻatuputeleina ma faʻamaonia lelei ma le fua o le etching. I le faaopoopo atu, pe a uma ona faaopoopo le cationic gas O2 i lalo o le fua faatatau o tafe, o le ai ai le aafiaga o le faateleina o le fua faatatau etching, ae i lalo o le eseese O2 / SF6 tafe fua faatatau, o le ai ai auala eseese tali, lea e mafai ona vaevaeina i ni vaega se tolu: (1) O le fua faatatau o le tafe O2 / SF6 e matua itiiti lava, O2 e mafai ona fesoasoani i le dissociation o le SF6, ma le fua faatatau etching i lenei taimi O2. (2) Pe a sili atu le fua faatatau o le tafe O2 / SF6 nai lo le 0.2 i le va o latalata 1, i le taimi nei, ona o le tele o le dissociation o SF6 e fausia F atoms, o le fua faatatau etching e sili ona maualuga; ae i le taimi lava e tasi, o le O atoms i le plasma ua faateleina foi ma E faigofie ona fausia SiOx po o SiNxO(yx) faatasi ai ma le SiNx ata tifaga, ma o le tele o atoms O faateleina, o le a sili atu ona faigata le F atoms mo le etching tali. O le mea lea, o le fua o le etching e amata ona faʻagesegese pe a latalata le fua faatatau O2 / SF6 i le 1. (3) Pe a sili atu le fua faatatau O2 / SF6 nai lo le 1, e faʻaitiitia le fua faʻatatau. Ona o le tele o le faateleina o le O2, o le dissociated F atoms fetoʻai ma le O2 ma foliga OF, lea e faaitiitia le concentration o F atoms, e mafua ai le faaitiitia o le fua faatatau etching. E mafai ona vaʻaia mai lenei mea pe a faʻaopoopo le O2, o le fua faatatau o le O2 / SF6 o loʻo i le va o le 0.2 ma le 0.8, ma e mafai ona maua le fua faʻatatau sili ona lelei.