O le matafaioi o le sulfur hexafluoride i le etching silicon nitride

O le sulfur hexafluoride o se kesi e sili ona lelei lona puipuiga ma e masani ona faʻaaogaina i le tineia o le eletise maualuga ma le transformers, laina eletise maualuga, transformers, ma isi mea faapena. Peitaʻi, i le faʻaopoopoga i nei galuega, e mafai foʻi ona faʻaaogaina le sulfur hexafluoride o se mea e vali ai eletise. O le sulfur hexafluoride mama maualuga o le eletise o se mea e vali ai eletise lelei tele, lea e faʻaaogaina lautele i le matata o tekinolosi microelectronics. O aso nei, o le faatonu faapitoa o le kesi a Niu Ruide, Yueyue, o le a faʻalauiloa mai le faʻaaogaina o le sulfur hexafluoride i le valiina o le silicon nitride ma le faatosinaga o paramita eseese.

Matou te talanoaina le faiga o le SF6 plasma etching SiNx, e aofia ai le suia o le malosiaga o le plasma, le fua faatatau o le kesi o le SF6/He ma le faaopoopoina o le kesi cationic O2, talanoaina lona aafiaga i le fua faatatau o le etching o le vaega puipuia o le elemene SiNx o le TFT, ma le faaaogaina o le plasma radiation. O le spectrometer e iloiloina suiga o le malosi o ituaiga taitasi i le SF6/He, SF6/He/O2 plasma ma le fua faatatau o le SF6 dissociation, ma suʻesuʻeina le sootaga i le va o le suiga o le fua faatatau o le etching SiNx ma le malosi o ituaiga plasma.

Ua maua i suʻesuʻega a faʻateleina le malosiaga o le plasma, e faʻateleina foʻi le fua faatatau o le etching; afai e faʻateleina le fua faatatau o le tafe o le SF6 i le plasma, e faʻateleina foʻi le malosi o le atomu F ma e fesoʻotaʻi lelei ma le fua faatatau o le etching. E le gata i lea, a maeʻa ona faʻaopoopoina le kesi cationic O2 i lalo o le fua faatatau atoa o le tafe, o le a i ai le aafiaga o le faʻateleina o le fua faatatau o le etching, ae i lalo o fua faatatau eseese o le tafe o le O2/SF6, o le a i ai ni auala eseese o le tali atu, lea e mafai ona vaevaeina i ni vaega se tolu: (1) E matua laʻititi lava le fua faatatau o le tafe o le O2/SF6, e mafai e le O2 ona fesoasoani i le vavaeʻeseina o le SF6, ma o le fua faatatau o le etching i le taimi nei e sili atu nai lo le taimi e le faʻaopoopoina ai le O2. (2) A sili atu le fua faatatau o le tafe o le O2/SF6 i le 0.2 i le va o loʻo latalata i le 1, i le taimi nei, ona o le tele o le vavaeʻeseina o le SF6 e fausia ai atomu F, o le fua faatatau o le etching e sili ona maualuga; ae i le taimi lava e tasi, o loʻo faʻateleina foʻi atomu O i le plasma ma E faigofie ona fausia le SiOx poʻo le SiNxO(yx) faʻatasi ai ma le fogāʻeleʻele ata SiNx, ma o le tele o atomu O e faʻateleina, o le faigata foʻi lea o atomu F mo le tali atu o le etching. O le mea lea, e amata ona faʻagesegese le fua faatatau o le etching pe a latalata le fua faatatau o le O2/SF6 i le 1. (3) A sili atu le fua faatatau o le O2/SF6 i le 1, e faʻaitiitia le fua faatatau o le etching. Ona o le faʻateleina tele o le O2, e fetoʻai atomu F ua vavaeʻese ma le O2 ma fausia ai le OF, lea e faʻaitiitia ai le faʻaputuga o atomu F, ma iʻu ai ina faʻaitiitia le fua faatatau o le etching. E mafai ona iloa mai lenei mea pe a faʻaopoopoina le O2, o le fua faatatau o le tafe o le O2/SF6 e i le va o le 0.2 ma le 0.8, ma e mafai ona maua le fua faatatau sili ona lelei o le etching.